库万军1991年在兰州大学获得学士学位，专业为固体物理磁学专业。长期从事软、硬磁新材料的研究和磁传感器的开发应用推广工作，对磁学理论有较深的理解。曾从事层间耦合多层膜的GMR巨磁电阻效应，软磁合金薄带的GMI巨磁阻抗效应以及磁性薄膜半导体集成化的研究，成功研制了一系列具有国际先进水平的GMR传感器元件，并在国内外技术刊物上发表论文达40多篇。获得中国专利7项，其中2为发明专利。参与国家863、国家自然基金、广东省科技计划项目和深圳市科技计划各一项；承担国家计委批复的“巨磁电阻磁场传感器芯片高技术产业化示范工程项目”2000年6月，毅然放弃了在葡萄牙里斯本继续进修博士后的机会提前回国，牵头创立了民营高科技企业—深圳市华夏磁电子技术开发有限公司2002年，公司投资1000万元与清华大学微电子学研究所合作建成国内首条巨磁电阻磁场传感器研发中试生产线并投产运行。巨磁电阻（GMR）传感器芯片生产项目获得国家计委作为新型电子元器件成果推广示范基地的立项批复。